OMAP3+: ABB: Adaptive Body-Bias structures & data
authorMike Turquette <mturquette@ti.com>
Thu, 30 Jun 2011 00:25:56 +0000 (17:25 -0700)
committerJason Kridner <jdk@ti.com>
Sat, 3 Sep 2011 21:57:02 +0000 (17:57 -0400)
commit091127578d1de0706d85f91582b728d49a27f2b7
tree51a0a50066ab395e6beb54c49d16cef9af3afc48
parent3b2b6484ebc37c764000448c4b18c3bb4ad9a3f2
OMAP3+: ABB: Adaptive Body-Bias structures & data

Due to voltage domain trimming and silicon characterstics some silicon
may experience instability when operating at a high voltage.  To
compensate for this an Adaptive Body-Bias ldo exists.  First featured in
OMAP3630, the purpose of this ldo is to provide a voltage boost to PMOS
backgates when a voltage domain is operating at a high OPP.  In this
mode the ldo is said to be in Forward Body-Bias.  At OPPs within a
nominal voltage range the ABB ldo is bypassed.

This patch introduces the data structures needed to represent the ABB
ldo's in the voltage layer, and populates the appropriate data for 3630
and OMAP4.  Not all voltage domains have an ABB ldo, and OMAP34xx does
not have it at all; in such cases the voltage data will be marked with
OMAP_ABB_NO_LDO.

Signed-off-by: Mike Turquette <mturquette@ti.com>
arch/arm/mach-omap2/Makefile
arch/arm/mach-omap2/abb.h [new file with mode: 0644]
arch/arm/mach-omap2/abb36xx_data.c [new file with mode: 0644]
arch/arm/mach-omap2/abb44xx_data.c [new file with mode: 0644]